Электронный архив
Донецкого национального технического университета (г.Донецк)
Electronic archive of Donetsk national technical university (Donetsk)
 

eaDonNTU, Donetsk >
Автомобильно-дорожный институт >
Факультет "Транспортные и информационные технологии" >
Кафедра "Общенаучные дисциплины" >
Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни" >

Please use this identifier to cite or link to this item: http://ea.donntu.org/handle/123456789/25018

Title: Визначення швидкості поверхневої рекомбінації і її впливу на час життя нерівноважних носіїв заряду
Authors: Уколов, О.І.
Надточій, В.О
Калимбет, А.З.
Keywords: монокристал
single-crystal
швидкість поверхневої рекомбінації
speed of superficial recombination
час життя
time of life
Issue Date: 2011
Publisher: Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2011 - № 1 – 212 с. С 83 – 87.
Citation: Уколов О.І. Надточій В.О. Калимбет А.З. Визначення швидкості поверхневої рекомбінації і її впливу на час життя нерівноважних носіїв заряду // Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2011 - № 1 – 212 с.
Series/Report no.: УДК;539.4
Abstract: Вимірювання структурно чутливих електрофізичних параметрів дозволяє визначити якість матеріалів для створення напівпровідникових пристроїв. У даній роботі розглянута теорія впливу швидкості поверхневої рекомбінації на час життя і довжину дифузії нерівноважних носіїв заряду в приповерхневих шарах напівпровідникового зразка. Отримані нові експериментальні результати параметрів рекомбінації нерівноважних носіїв заряду на розробленому вимірювальному пристрої з урахуванням впливу поверхні напівпровідника.
Description: Measuring structurally of sensible electrophysics parameters allows to define quality of materials for creation of semiconductor devices. In this work the considered theory of influence of speed of superficial recombination is in a time of life and length of diffusion of non-equilibrium transmitters of charge in the приповерхневих layers of semiconductor standard. The new experimental results of parameters of recombination of non-equilibrium transmitters of charge are got on the worked out measuring device taking into account influence of surface of semiconductor.
URI: http://ea.donntu.org/handle/123456789/25018
Appears in Collections:Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"

Files in This Item:

File Description SizeFormat
Визначення швидкості поверхневої рекомбінації.pdf1.97 MBAdobe PDFView/Open

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.